Tại SEMICON Taiwan 2026, TESCAN đã giới thiệu một quy trình phân tích lỗi tích hợp được thiết kế để giải quyết những thách thức trong đóng gói tiên tiến (advanced packaging), tích hợp không đồng nhất (heterogeneous integration) và bộ nhớ băng thông cao (High-Bandwidth Memory – HBM). Quy trình này kết nối kiểm tra Micro-CT không phá hủy (Micro-CT inspection), gia công laser femtosecond có hỗ trợ khí (gas-assisted femtosecond laser processing), chuẩn bị mẫu bằng Plasma FIB-SEM và phân tích 4D-STEM, giúp các phòng thí nghiệm chuyển từ việc xác định vị trí các khuyết tật nằm bên trong đến thu được những thông tin phân tích đáng tin cậy với tốc độ và độ tin cậy cao hơn.

Trong suốt ba ngày, các cuộc trao đổi tại gian hàng TESCAN tập trung vào cách những công nghệ này có thể phối hợp với nhau trên các cấp độ kích thước khác nhau, giúp các phòng thí nghiệm tiếp cận các vùng quan tâm (region of interest), bảo toàn những thông tin quan trọng về bối cảnh của mẫu và chuẩn bị các mẫu chất lượng cao cho các bước phân tích tiếp theo.

Từ khuyết tật ẩn bên trong đến thông tin phân tích đáng tin cậy

Khi các cấu trúc bán dẫn ngày càng lớn và phức tạp, phân tích lỗi đòi hỏi nhiều hơn một thiết bị hoặc một kỹ thuật duy nhất. Các khuyết tật nằm bên trong trước tiên cần được xác định vị trí mà không gây hư hại cho thiết bị, sau đó được tiếp cận một cách hiệu quả trong khi vẫn bảo toàn vùng quan tâm để phục vụ các bước chuẩn bị và phân tích tiếp theo.

Tại SEMICON Taiwan, TESCAN đã giới thiệu một quy trình phân tích bán dẫn tích hợp, kết nối bốn giai đoạn:

• INSPECT – KIỂM TRA với TESCAN UniTOM HR 2 để kiểm tra Micro-CT không phá hủy và phân tích độ cong vênh in-situ.
• ACCESS – TIẾP CẬN với TESCAN FemtoChisel™ để tiếp cận nhanh chóng và có kiểm soát các vùng quan tâm nằm bên trong.
• PREPARE – CHUẨN BỊ với TESCAN SOLARIS X 2 để chuẩn bị mẫu bằng Plasma FIB-SEM với độ chính xác cao, được hỗ trợ bởi khả năng chụp ảnh SEM theo thời gian thực.
• ANALYZE – PHÂN TÍCH với TESCAN TENSOR để thực hiện phân tích 4D-STEM mạnh mẽ và đáng tin cậy.

Việc kết nối các giai đoạn này giúp các phòng thí nghiệm duy trì bối cảnh không gian của khuyết tật, đồng thời giảm nhu cầu xác định lại vị trí nhiều lần, hạn chế việc chuyển mẫu giữa các thiết bị và giảm các công đoạn xử lý lại không cần thiết.

Từ hàng giờ xuống chỉ còn vài phút

TESCAN cũng tham gia Semiconductor Advanced Inspection and Metrology Forum, nơi TS. Hervé Macé trình bày:

TESCAN FemtoChisel™: Từ hàng giờ xuống chỉ còn vài phút: Quy trình laser femtosecond năng suất cao có hỗ trợ khí cho phân tích và đặc trưng bán dẫn tiên tiến

Bài trình bày tập trung vào cách gia công laser femtosecond có hỗ trợ khí có thể đẩy nhanh các quy trình tạo mặt cắt, mở lớp bảo vệ (decapsulation), bóc tách từng lớp (delayering), chuẩn bị khoang và loại bỏ vật liệu với thể tích lớn.

Thay vì thay thế FIB-SEM, FemtoChisel thực hiện quá trình loại bỏ vật liệu nhanh chóng và tạo khả năng tiếp cận có kiểm soát ở quy mô lớn hơn. Sau đó, Plasma FIB-SEM có thể hoàn thiện các bước chuẩn bị và đánh bóng cuối cùng ở cấp độ micromet và nanomet.

Sự kết hợp này giúp nâng cao năng suất tổng thể của quá trình chuẩn bị mẫu, đồng thời hỗ trợ duy trì chất lượng bề mặt và tính toàn vẹn cấu trúc cần thiết cho các bước đặc trưng vật liệu độ phân giải cao tiếp theo.

Trao đổi về HBM và đóng gói tiên tiến cùng DIGITIMES Asia

Trong khuôn khổ SEMICON Taiwan, TS. Hervé Macé đã tham gia một cuộc phỏng vấn với DIGITIMES Asia về những thách thức trong phân tích lỗi do bộ nhớ băng thông cao (HBM), tích hợp không đồng nhất (heterogeneous integration) và đóng gói tiên tiến (advanced packaging) tạo ra.

Cuộc trao đổi tập trung vào lý do tại sao các khuyết tật nằm sâu bên trong những cấu trúc bán dẫn ba chiều phức tạp ngày càng khó xác định vị trí và tiếp cận. Nội dung cũng giải thích cách một quy trình hiệu quả có thể kết hợp xác định vị trí khuyết tật không phá hủy, gia công laser femtosecond có kiểm soát và chuẩn bị mẫu bằng FIB-SEM.

Việc sử dụng đúng công nghệ ở đúng quy mô cho phép các phòng thí nghiệm đẩy nhanh quá trình tiếp cận vùng quan tâm, đồng thời duy trì chất lượng mẫu cần thiết cho chụp ảnh độ phân giải cao và đặc trưng phân tích.

SPIN. MATCH. ENJOY.

Các cuộc trao đổi chuyên môn tại gian hàng được kết hợp với SPIN. MATCH. ENJOY., một hoạt động tương tác kết nối các công nghệ TESCAN với những loại đồ uống đặc trưng.

Khách tham quan quay vòng quay, ghép từng công nghệ với loại đồ uống tương ứng và khám phá vai trò của Micro-CT, gia công laser femtosecond và FIB-SEM trong quy trình phân tích lỗi bán dẫn.

Hoạt động này mang đến một cách tiếp cận khác để giới thiệu quy trình, đồng thời tạo cơ hội trao đổi về những thách thức thực tế trong đóng gói tiên tiến, xác định vị trí khuyết tật và chuẩn bị mẫu.

Quan trọng hơn cả, những cuộc trao đổi với các nhà nghiên cứu đã cung cấp những góc nhìn trực tiếp về các câu hỏi mà họ đang đặt ra, những hạn chế họ đang gặp phải và những khám phá mà họ đang hướng tới. Những trao đổi này giúp TESCAN tiếp tục phát triển các quy trình dễ tiếp cận và đáng tin cậy, dựa trên những nhu cầu khoa học thực tế.

Tiếp tục kết nối

TESCAN xin cảm ơn tất cả khách tham quan đã ghé thăm gian hàng, tham dự diễn đàn, theo dõi cuộc phỏng vấn hoặc chia sẻ với đội ngũ của chúng tôi những thách thức mà họ đang gặp phải trong phân tích lỗi.

SEMICON Taiwan 2026 có thể đã khép lại, nhưng những cuộc trao đổi vẫn tiếp tục. Từ xác định vị trí khuyết tật không phá hủy và loại bỏ vật liệu với thể tích lớn đến chuẩn bị mẫu chính xác và phân tích ở cấp độ nano, các chuyên gia TESCAN sẵn sàng hỗ trợ các phòng thí nghiệm xác định những công nghệ và quy trình phù hợp nhất với ứng dụng của mình.

Truy tìm lỗi với độ tin cậy cao hơn.

Kiểm tra. Tiếp cận. Chuẩn bị. Phân tích.

Liên hệ & Tư vấn chi tiết