Tiếng Việt 
日本語 (Japan) 
한국어 (Korean) 
中文 (Chinese) 
English (UK) Tescan SOLARIS X™ 2 được thiết kế dành cho các phòng thí nghiệm, nơi việc phân tích hỏng hóc ở cấp độ gói đóng gói (package-level failure analysis), tạo mặt cắt diện tích lớn và chuẩn bị mẫu không sử dụng Ga đòi hỏi cả tốc độ lẫn độ chính xác. Được trang bị cột Plasma FIB Mistral™ Xe, SOLARIS X™ 2 mang lại khả năng gia công bằng chùm ion dòng cao với chất lượng bề mặt vượt trội, trong khi cột SEM Triglav™ đảm bảo độ chính xác hình ảnh ở cấp nanomet ngay tại điểm hội tụ của chùm FIB và SEM. Kết quả là các mặt cắt nhanh, không tạo giả ảnh (artifact-free), cùng kết quả phân tích đáng tin cậy trên các gói IC tiên tiến, thiết bị MEMS và màn hình hiển thị.
Trong nhiều năm qua, việc thu nhỏ kích thước transistor theo định luật Moore đã thúc đẩy sự phát triển mạnh mẽ của ngành công nghiệp bán dẫn. Tuy nhiên, khi các tiến trình công nghệ tiến gần đến giới hạn vật lý, các nhà sản xuất chip ngày càng chuyển trọng tâm sang công nghệ đóng gói tiên tiến (Advanced Packaging) nhằm tiếp tục nâng cao hiệu năng, tăng mật độ tích hợp và giảm mức tiêu thụ điện năng.
Thay vì chỉ tập trung vào một khuôn chip (die) đơn lẻ, các thế hệ vi mạch hiện đại được tích hợp nhiều chip chức năng trong cùng một package thông qua các kiến trúc như HBM (High Bandwidth Memory), Chiplet, 2.5D/3D IC, CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) hay Hybrid Bonding. Những công nghệ này mang lại băng thông truyền dữ liệu lớn hơn, độ trễ thấp hơn và hiệu suất tính toán vượt trội, đặc biệt trong các lĩnh vực như trí tuệ nhân tạo (AI), trung tâm dữ liệu, điện toán hiệu năng cao (HPC), ô tô tự hành và thiết bị điện tử tiêu dùng thế hệ mới.
PGS. TS. Stanislav Haviar (Doc. RNDr. Stanislav Haviar, Ph.D.) là nhà nghiên cứu tại Khoa Vật lý, Phân khoa Khoa học Ứng dụng (FAS), Đại học Tây Bohemia ở Pilsen (UWB). Khoa tập trung chủ yếu vào kỹ thuật vật liệu, bao gồm việc chế tạo các vật liệu màng mỏng bằng công nghệ plasma như phún xạ magnetron (magnetron sputtering).
Mục tiêu của các nhà nghiên cứu tại FAS UWB không chỉ là hiểu rõ bản thân vật liệu thu được, mà còn cả các nguyên lý vật lý cơ bản chi phối quá trình hình thành của nó. Học viện này nằm trong một khuôn viên nghiên cứu hiện đại, đóng vai trò là cầu nối giữa nghiên cứu học thuật và phát triển công nghiệp ứng dụng. Kể từ năm ngoái, nỗ lực này đã được hỗ trợ bởi hệ thống kính hiển vi điện tử Tescan AMBER 2 được trang bị các thiết bị tiên tiến, bao gồm một đầu dò 4D-STEM độc đáo. Chúng tôi đã có buổi trò chuyện với Stanislav Haviar để nghe ông chia sẻ thêm về công việc của mình.
Khám phá cách Kính hiển vi điện tử truyền qua quét (STEM) tiết lộ hình thái học, thành phần pha và nguyên tố, độ kết tinh, cấu trúc nguyên tử cũng như các tính chất vật lý chức năng như ứng suất (strain) hoặc điện trường bên trong vật liệu và các thiết bị bán dẫn. Tìm hiểu các nguyên lý đằng sau TEM và STEM, cách độ tương phản hình ảnh được hình thành, và tại sao các kỹ thuật 4D-STEM và nhiễu xạ electron tiên tiến đang mở rộng khả năng của STEM phân tích truyền thống và làm thay đổi ngành đặc trưng hóa khoa học vật liệu.
Khoa Kỹ thuật Vật liệu thuộc Khoa Cơ khí của Đại học Žilina (UNIZA) là một trong những trung tâm nghiên cứu vật liệu hàng đầu tại Slovakia. Lịch sử nghiên cứu bằng kính hiển vi điện tử tại đây bắt đầu từ năm 1966.
Ngày nay, dưới sự lãnh đạo của Giáo sư Peter Palček, Tiến sĩ (Ph.D.), khoa đã kết hợp nhiều thập kỷ kinh nghiệm nghiên cứu với các hệ thống thiết bị hiện đại tiên tiến. Năng lực nghiên cứu của đơn vị vừa được tăng cường đáng kể với việc đưa vào sử dụng hệ thống kính hiển vi điện tử quét TESCAN MIRA XR.
“Vật liệu lưu giữ dấu vết của mọi điều đã từng xảy ra với nó. Nhiệm vụ của chúng tôi là đọc được câu chuyện đó – với sự hỗ trợ của các electron,” Giáo sư Palček chia sẻ trong cuộc phỏng vấn này.
Sự phát triển của khoa học vật liệu hiện đại phụ thuộc ngày càng nhiều vào khả năng đặc trưng hóa cấu trúc ở cấp độ nanomet và nguyên tử. Khi vật liệu ngày càng phức tạp và kích thước thiết bị bán dẫn thu nhỏ xuống dưới 5 nm, yêu cầu chuẩn bị mẫu chất lượng cao cho kính hiển vi điện tử quét/truyền qua (S/TEM) trở nên thiết yếu.
Trong thực tế, thách thức lớn nhất của S/TEM không nằm ở độ phân giải thiết bị mà ở việc tạo ra mẫu đủ mỏng (<50 nm) nhưng vẫn giữ được cấu trúc nguyên bản của vật liệu. Hiện nay, chùm ion hội tụ (FIB) là giải pháp phổ biến nhờ khả năng chuẩn bị mẫu tự động, chính xác theo vùng quan tâm ở cấp nanomet.
Tuy nhiên, với các hệ FIB-SEM sử dụng nguồn ion Ga+, quá trình gia công có thể gây vô định hình hóa bề mặt, cấy ghép ion và biến đổi hóa học, làm ảnh hưởng đến độ phân giải nguyên tử cũng như độ chính xác của các phân tích EDS và EELS.
Để khắc phục hạn chế này, đánh bóng bằng chùm ion Ar+ năng lượng thấp (100–500 eV) được sử dụng để loại bỏ dần lớp bề mặt nhiễm Ga, từ đó tạo ra các mẫu siêu mỏng, ít hư hại và phù hợp cho chụp ảnh cũng như phân tích (S)TEM độ phân giải cao.
Trong thế giới phân tích vật liệu, việc hiểu rõ cả hình dáng bề mặt lẫn thành phần hóa học là "chìa khóa" để mở ra những đột phá mới. Thông thường, các nhà khoa học phải chuyển mẫu qua lại giữa Kính hiển vi điện tử quét (SEM) và Kính hiển vi Raman. Tuy nhiên, sự ra đời của RISE (Raman Imaging and Scanning Electron Microscopy) đã thay đổi cuộc chơi bằng cách tích hợp cả hai vào một hệ thống duy nhất,.
Vậy RISE thực sự có thể làm được những gì? Hãy cùng điểm qua những ứng dụng thực tế đầy ấn tượng của công nghệ này.
Sự tiến bộ vượt bậc của khoa học vật liệu và công nghệ nano trong thập kỷ qua đã đặt ra những thách thức chưa từng có đối với các kỹ thuật phân tích vi mô. Các nhà nghiên cứu không còn hài lòng với việc chỉ quan sát hình thái bề mặt đơn thuần; họ yêu cầu sự hiểu biết thấu đáo về mối liên hệ giữa cấu trúc nano, thành phần hóa học phân tử và các tính chất cơ lý tại cùng một vị trí trên mẫu vật. Trong bối cảnh đó, hệ thống RISE (Raman Imaging and Scanning Electron Microscopy) của TESCAN, được phát triển thông qua sự hợp tác chiến lược với WITec, đã nổi lên như một giải pháp mang tính cách mạng, thiết lập một tiêu chuẩn mới cho hiển vi tương quan.
