Mạch tích hợp là cấu trúc đa lớp với thành phần chính là các transistor đa cổng, trong đó có một kênh nguồn được bao quanh bởi một cổng 3D.

SEM đóng vai trò vô cùng quan trọng trong việc phân tích lỗi sai của mạch tích hợp và đồng thời hỗ trợ cho việc chuẩn bị mẫu một cách hoàn hảo để tiến hành đo TEM.

Through-silicon vias (TSV) là một công nghệ liên kết 3D tiên tiến và cũng là một bộ phận cốt lõi để làm vật liệu đệm 3D tích hợp. Các tấm mạch được kết nối theo chiều dọc TSV giúp cải thiện nâng cao hiệu suất điện, giảm tiêu thụ điện năng.

TESCAN cung cấp cho công nghiệp bán dẫn và đóng gói với nhiều hệ thống phân tích, đầu dò đa dạng để thực hiện các kỹ thuật phân tích trong nghiên cứu ứng suất và sự nhô ra của Cu trong TSV.

Công nghệ màn hình đã phát triển rất nhanh chóng trong những năm gần đây, màn hình chất lượng cao đem đến những hình ảnh sắc nét và tươi sáng hơn, với góc nhìn rộng, màu sắc rực rỡ, tất cả đều nằm trong một lớp cảm ứng.

TESCAN cung cấp một chuỗi các thiết bị phù hợp cho công nghệ màn hình. Màn hình là một cấu trúc mảnh, nhạy và có thể dễ dàng bị phá hủy bởi chùm điện tử.

 Trong công nghiệp bán dẫn và vi điện tử, việc sử dụng dây dẫn liên kết siêu mịn của đồng và vàng vẫn là phương pháp được sử dụng rộng rãi để tạo các liên kết trong mô-đun đa chíp với mật độ cao

Một trong những lý do là quy trình hàn dây, hàn chíp được thực hiện tự động có độ tin cậy cao và đem lại năng suất cao. Để đạt được chất lượng cao cần có những yêu cầu về tính đồng nhất trong các đặc điểm của dây dẫn, thành phần hóa học đồng nhất và tính chất cơ học ổn định. Các đặc tính đó của dây có thể bị biến đổi hoặc bị ảnh hưởng bởi tác dụng nhiệt trong quá trình hàn dây dẫn vào miếng đệm dây dẫn. Khu vực dây hàn sẽ bị ảnh hưởng bởi nhiệt nên sẽ yếu hơn về mặt cơ học và có thể làm biến đổi cấu tạo đường dây và sự ổn định của nó.

Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS - Micro-electro-Mechanical Systems) là một công nghệ có thể định nghĩa một cách tổng quan nhất đó là các phần tử cơ điện tử được thu nhỏ và thường được làm từ chất nền Si, được chế tạo bằng phương pháp ăn mòn hóa học và phương pháp quang khắc.

Kích thước vật lý quan trọng của thiết bị MEMS có thể giảm xuống dưới 1um đến vài mm. Các công tắc vi cơ trong mạch dùng để chuyển pha và chuyển đổi tín hiệu, gương cỡ micro dùng để chuyển đổi ánh sáng hoặc điều chỉnh sự biến dạng do sự khúc xạ của không khí hoặc những dị thường của thấu kính là những ví dụ điển hình của thiết bị MEMS.

Mạng lưới bi hàn (Ball grid array - BGA) là một công nghệ đóng gói lắp ráp bề mặt gồm có một dãy các bi hàn ở mặt dưới của bó chip. BGA được phát triển để đáp ứng xu hướng trong ngành công nghiệp bán dẫn theo hướng thu nhỏ các mạch tích hợp (IC) cho mật độ cao hơn, tích hợp tốt hơn và cải thiện nhiều chức năng.

Bảng mạch in (printed circuit board - PCB) có mật độ và hiệu suất sử dụng cao hơn nhờ vào mạng lưới bi hàn (BGA). Điều này là do toàn bộ mặt dưới của bó chip có thể được sử dụng để kết nối thay vì liên kết dây dẫn hoặc quad flat pack (QFP) nơi các kết nối chỉ được thực hiện xung quanh đường biên của chip.