Ứng dụng của SEM trong Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS)

Ứng dụng của SEM trong Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS)Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS - Micro-electro-Mechanical Systems) là một công nghệ có thể định nghĩa một cách tổng quan nhất đó là các phần tử cơ điện tử được thu nhỏ và thường được làm từ chất nền Si, được chế tạo bằng phương pháp ăn mòn hóa học và phương pháp quang khắc.

Kích thước vật lý quan trọng của thiết bị MEMS có thể giảm xuống dưới 1um đến vài mm. Các công tắc vi cơ trong mạch dùng để chuyển pha và chuyển đổi tín hiệu, gương cỡ micro dùng để chuyển đổi ánh sáng hoặc điều chỉnh sự biến dạng do sự khúc xạ của không khí hoặc những dị thường của thấu kính là những ví dụ điển hình của thiết bị MEMS.

 

MEMS xuất hiện hàng ngày trong cuộc sống với nhiều cách như túi khí của xe ô tô, cảm biến điều hướng trong các phương tiện, đầu ổ đĩa, đầu máy phun mực, thiết bị phát hiện định hướng của điện thoại thông minh hoặc máy trợ tim và cảm biến huyết áp.

  • SEM là một kỹ thuật lý tưởng để chúng ta có thể kiểm soát và khoanh vùng các lỗi sai và những nguyên nhân gốc rễ của lỗi sai trong MEMS.
  • Với độ phân giải caođộ sâu tiêu cự lớn làm cho SEM của TESCAN là một thiết bị tuyệt vời phục vụ cho việc quan sát các mẫu có bề mặt phức tạp như MEMS.
  • MAIA3độ phân giải siêu cao ở điện thế gia tốc thấp hỗ trợ cho việc phát hiện các hạt nhỏ và các chất gây ô nhiễm khác có thể dẫn đến hư hỏng thiết bị.
  • Cột điện tử của MIRA có năng suất cao cho phép kiểm tra các vết nứt, gãy hoặc các vết mỏi hoặc mòn trong MEMS với các bộ phận chuyển động hoặc bề mặt va chạm.
  • Các thiết bị MEMS được đóng gói một cách rất cẩn thận và an toàn để bảo vệ các thành phần dễ vỡ của chúng.

Series of windows made by FIB on the MEMSs lid cut by FIB and opened with nanomanipulator

Series of windows made by FIB on the MEMSs lid cut by FIB and opened with nanomanipulator

 

FIB cross section through a MEMS feature

FIB cross section through a MEMS feature

 

FIB cross section through a MEMS feature

FIB cross section through a MEMS feature

 

FIB cross section of MEMS revealing the site of interest located at more than 200 μm below the surface

FIB cross section of MEMS revealing the site of interest located at more than 200 μm below the surface

 

Detailed image of the bonding layer located at 300 μm below the surface

Detailed image of the bonding layer located at 300 μm below the surface

 

Deep trench milled in a MEMS with plasma FIB

Deep trench milled in a MEMS with plasma FIB