Trong phân tích lỗi (Failure Analysis – FA) vật liệu và linh kiện bán dẫn, mục tiêu không chỉ dừng lại ở việc quan sát hình ảnh khuyết tật mà quan trọng hơn là xác định đúng cơ chế hỏng hóc và mối liên hệ giữa cấu trúc – vật liệu – quy trình chế tạo – độ tin cậy. Do đó, việc lựa chọn công cụ phân tích ngay từ đầu có ảnh hưởng trực tiếp đến độ chính xác khoa học, thời gian thực hiện và chi phí phân tích. SEM (Scanning Electron Microscopy) và FIB-SEM (Focused Ion Beam – SEM) là hai kỹ thuật được sử dụng phổ biến nhất trong FA hiện đại. Tuy nhiên, trong thực tế, hai công cụ này thường bị so sánh một cách giản lược, trong khi bản chất vật lý và vai trò của chúng trong chuỗi phân tích lại mang tính bổ trợ hơn là thay thế.

Dưới đây là các tiêu chí kỹ thuật quan trọng giúp kỹ sư đưa ra quyết định đúng đắn.

Trong kỷ nguyên của các thiết bị di động và điện toán hiệu năng cao, semiconductor packaging đã trở nên vô cùng phức tạp với các cấu trúc 2.5D/3D IC, bộ nhớ HBM hay chip-on-wafer. Để đáp ứng thách thức này, TESCAN SOLARIS X 2 xuất hiện như một "trạm phân tích" quyền năng, kết hợp giữa tốc độ của chùm tia Plasma FIB và độ phân giải cực cao của chùm tia điện tử.

Trong lĩnh vực phân tích vật liệu và bán dẫn, việc tạo ra các mẫu lamella cho kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) luôn được coi là một nghệ thuật đòi hỏi kỹ năng cực cao. Giờ đây, với sự ra đời của các giải pháp tự động hóa như TEM AutoPrep Pro™, TESCAN đã biến quy trình phức tạp này thành một trải nghiệm hợp lý, nhanh chóng và có độ chính xác tuyệt đối.

Trong ngành khoa học vật liệu và kỹ thuật cơ khí, hiểu biết về cơ chế gãy của vật liệu đóng vai trò then chốt trong thiết kế kỹ thuật, phân tích hỏng học và đảm bảo an toàn cho các kết cấu. Hai dạng gãy chính trong vật liệu kim loại và nhiều loại vật liệu khác là gãy dẻo (ductile fracture) và gãy giòn (brittle fracture). Việc nhận biết được sự khác nhau giữa hai cơ chế gãy này là yếu tố quan trọng trong việc dự báo độ bền và ứng xử thiết bị.

Trong các phòng thí nghiệm vật liệu hiện đại, yêu cầu không chỉ dừng lại ở việc đo cơ tính, độ dày, hay kiểm tra ngoại quan. Các kỹ sư và nhà nghiên cứu cần nhìn sâu xuống cấp độ micro, thậm chí nano, để hiểu rõ mối quan hệ giữa công nghệ chế tạo – vi cấu trúc – tính chất vật liệu. Đó là lý do MTECHNOLOGY giới thiệu giải pháp:

Hệ kính hiển vi điện tử quét (SEM) TESCAN VEGA tích hợp hệ phân tích EDS & EBSD của Bruker – một tổ hợp mạnh mẽ kết hợp ba lớp thông tin: hình thái – thành phần hóa học – tinh thể học, phù hợp cho nhiều nhóm vật liệu từ thép, tôn mạ, hợp kim màu cho tới gốm, vật liệu pin và linh kiện điện tử.

Phân tích kết hợp giữa EBSD (Electron Backscatter Diffraction) và EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) là một kỹ thuật mạnh mẽ, được sử dụng để phân tích vi cấu trúc và thành phần hóa học của vật liệu một cách đồng thời. Sự kết hợp này mang lại các lợi ích cốt lõi sau đây trong việc nhận dạng các pha và xác định thành phần:

EBSD (Electron Backscatter Diffraction) là một công nghệ được thiết kế để phân tích các đặc điểm cấu trúc tinh thể của vật liệu. Vai trò của EBSD trong nghiên cứu vật liệu được định hình thông qua khả năng phân tích vi cấu trúc chi tiết, tốc độ thu thập dữ liệu cao, và khả năng tích hợp với các kỹ thuật phân tích thành phần.

Bà Anne Delobbe là một chuyên gia về công nghệ chùm ion hội tụ, có ảnh hưởng đáng kể đến sự đổi mới tại ORSAY PHYSICS và TESCAN. Với hơn 20 năm kinh nghiệm, bà mang đến sự hiểu biết sâu sắc và tầm nhìn cho các dự án và thiết bị mới. Được truyền cảm hứng từ sự lãnh đạo với tầm nhìn xa của người sáng lập ORSAY PHYSICS là ông Pierre Sudraud, Anne và các cộng sự của bà đã tập trung vào việc áp dụng công nghệ Plasma vào các cột chùm ion hội tụ (PFIB). Công nghệ này đã đạt đến đỉnh cao khi ra mắt TESCAN AMBER X 2, một hệ thống PFIB tiên tiến, đặt ra các tiêu chuẩn mới trong nghiên cứu khoa học vật liệu.