Thời gian: Thứ 5, ngày 29/6/2023,
Từ 3:00 giờ chiều (Giờ Hà Nội)
Ngôn ngữ: Tiếng Anh
Hình thức: Hội thảo Online
Trạng thái: Đã diễn ra, đăng ký để nhận Recorded Video
Mã số Webinar: TESCAN135
Chủ đề: EDS Mapping độ phân giải siêu cao, nghiên cứu Vật liệu bán dẫn với FEG-SEM
Topic: Ultra-High Spatial Resolution EDS Mapping of Semiconducting Materials with FEG-SEM
- Hình 1: Ảnh SEM EDS độ phân giải siêu cao của mẫu mỏng 25 nm hiển thị sự phân bố nguyên tố trong cấu trúc FinFET
- Hình 2: Ảnh SEM của mẫu mỏng 25 nm (FIB/TEM lamella) của FinFET node 14 nm (FinCut)
Để có thể đáp ứng tốc độ tính toán ngày càng cao, các nhà chế tạo chip bán dẫn đang hướng tới mục tiêu đạt được tốc độ xử lý cao hơn bằng cách cải thiện cấu trúc thiết bị 3D (FinFET và GAAFET) cũng như sử dụng các vật liệu mới.
Việc nghiên cứu đặc tính của các chip bán dẫn rất quan trọng và cũng đầy thách thức, vì có những chi tiết có kích thước nhỏ đến 1 nm. Trong trường hợp này, Kính hiển vi điện tử độ phân giải siêu cao, có gắn đầu dò phân tích nguyên tố EDS thường được sử dụng trong việc nghiên cứu và phân tích.
Webinar sẽ được các diễn giả (TESCAN và Bruker) trình bày các ưu điểm của SEM EDS trong việc nghiên cứu phân bố nguyên tố của các cấu trúc phức tạp ở độ phân giải cao. Việc phân tích lỗi các node dưới 20 nm thường yêu cầu mẫu phải được xử lý hoặc chuẩn bị thành các phần mẫu mỏng - Lamellae.

Hệ thống Xe Plasma FIB-SEM TESCAN SOLARIS X cung cấp một kỹ thuật tiên tiến hàng đầu để nghiên cứu chip bán dẫn, gọi là kỹ thuật tách lớp (delayering). Trong khi đó, hệ thống Ga FIB-SEM TESCAN SOLARIS chuẩn bị các Lamellae có độ dày tương đương với kích thước của node.
Hơn nữa, các diễn giả sẽ chỉ ra cách có thể thu được các phân bố hóa học có độ phân giải siêu cao bằng SEM EDS. Loại Đầu dò tia X không cửa sổ 100mm2 hình bầu dục XFlash® 7100oval được sử dụng để thu nhận tín hiệu với độ phân giải nanomet. Hệ thống đầu dò hình bầu dục và thiết kế đường mảnh cho phép phân tích EDS ở góc khối lớn lên tới 0,4 sr với năng lực thu thập tín hiệu cao. Ngoài ra, đầu dò XFlash® FlatQUAD EDS có góc khối lên đến 1,1 sr và hình dạng độc đáo của đầu dò cung cấp độ nhạy cao nhất trong các phép đo EDS low kV trong SEM hiện có trên thị trường.
Webinar này dành cho những ai?
- Kỹ sư phân tích lỗi (FA. Eng.) và kỹ sư làm việc trên kính hiển vi trong các phòng nghiên cứu bán dẫn, chế tạo và kiểm tra vật liệu bán dẫn, vật liệu tiên tiến
- Những khách hàng đang sử dụng SEM TEM, những người đang quan tâm đến vật liệu có cấu trúc nano
- Và dành cho tất cả những ai đang nghiên cứu khoa học vật liệu, khoa học sự sống có quan tâm đến các kỹ thuật phân tích nguyên tố tiên tiến
Diễn giả
Sự kiện được phối hợp thực hiện bởi các Diễn giả đến từ Hãng kính hiển vi điện tử TESCAN- CH Séc và Hãng cung cấp đầu dò phân tích nguyên tố EDS Bruker - Đức.

Maksym Klymov
Senior Application Specialist – Semiconductors,
Tescan Orsay Holding, Brno, Czech Republic
___________________________________________________
Dr. Purvesh Soni
Application Scientist, Bruker Nano Analytics
___________________________________________________
Andi Kaeppel
Senior Product Manager EDS/SEM, Bruker Nano Analytics
___________________________________________________
Đăng ký xem lại Recorded Webinar theo Form dưới đây:

Tiếng Việt
日本語 (Japan)
한국어 (Korean)
中文 (Chinese)
English (UK)