TESCAN MIRA – Kính hiển vi điện tử quét phân tích độ phân giải cao tích hợp Essence™ EDS

TESCAN MIRA là kính hiển vi điện tử quét phân tích độ phân giải cao (analytical SEM) dành cho đặc trưng vật liệu định kỳ, nghiên cứu và kiểm soát chất lượng ở thang cận micromet. Với nguồn Schottky FEG, Intermediate Lens™ kết hợp In-Flight Beam Tracing™ và tùy chọn tích hợp Essence™ EDS, MIRA hợp nhất chụp ảnh SEM và phân tích nguyên tố trực tiếp trong một quy trình, rút ngắn đáng kể thời gian thu dữ liệu.

Giới thiệu TESCAN MIRA
Ứng dụng điển hình
Tính năng nổi bật
Thông số kỹ thuật tiêu biểu
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Tổng quan về TESCAN MIRA
Video/Webinar liên quan
Liên hệ & Hỗ trợ

Giới thiệu TESCAN MIRA

MIRA sử dụng quang học không khẩu độ độc đáo với Intermediate Lens™ giúp duy trì kích thước chùm nhỏ ngay cả khi tăng dòng dò, cho phép chuyển đổi một chạm giữa điều kiện chụp ảnh và điều kiện phân tích. Wide Field Optics™ mang lại ảnh tổng quan SEM trực tiếp ở độ phóng đại thấp tới 2× để điều hướng trực quan hơn, trong khi phần mềm đa người dùng Essence™ tối giản thao tác cho mọi trình độ.

Ứng dụng điển hình

Kim loại & hợp kim: tương phản vi cấu trúc/pha, bề mặt phá hủy, quy trình EBSD/EDS.
Hạt & bột: địa hình và kích cỡ ở điện áp thấp; đặc trưng nano/cận micromet.
Địa chất: thạch học, CL imaging, lập bản đồ pha khoáng bằng BSE + EDS.
Vi điện tử/điện tử: kiểm tra wafer/thiết bị, tạp nhiễm, phân tích khuyết tật.
Mẫu nhạy chùm/tích điện: SingleVac™ tiêu chuẩn; tùy chọn MultiVac cho chân không biến thiên.

Tính năng nổi bật

Hợp nhất chụp ảnh & phân tích

Essence™ EDS (tùy chọn): phổ, bản đồ, line profile hiển thị trực tiếp ngay trong cửa sổ SEM; dữ liệu lưu kèm tọa độ bàn mẫu.
Chuyển đổi một chạm giữa điều kiện chụp ảnh (dòng thấp) và điều kiện phân tích (dòng cao).

Intermediate Lens™ & In-Flight Beam Tracing™

Tối ưu kích thước đốm chùm theo dòng dò; đảm bảo landing current đúng như người vận hành đặt.
Cải thiện SNR và giữ vững độ phân giải trong điều kiện phân tích.

Điều hướng Wide Field Optics™

Ảnh tổng quan SEM trực tiếp ở 2× với độ sâu trường lớn; không cần camera quang học rời.
Điều hướng chính xác trên gá nghiêng/EBSD nhờ hiệu chỉnh scanning-tilt.

SingleVac™ & MultiVac (tùy chọn)

SingleVac™ cấu hình sẵn giúp quan sát mẫu tích điện không cần phủ kim loại.
MultiVac (1–700 Pa) kèm GSD cho ảnh địa hình hiệu quả với mẫu cách điện/thoát khí.

Đầu dò trong cột & BDT (tùy chọn)

Đầu dò SE/BSE trong cột cho phép thu đồng thời đa kênh (tối đa 4 kênh).
Beam Deceleration Technology (BDT) tăng cường độ phân giải ở điện áp thấp.

Thông số kỹ thuật tiêu biểu

Thông số	Giá trị (đại diện)
Nguồn electron	Schottky FEG độ sáng cao
Độ phân giải (HV)	1.2 nm @ 30 keV (SE); 1.0 nm @ 30 keV (In-Beam SE); 3.5 nm @ 1 keV (In-Beam SE); 1.8 nm @ 1 keV (BDT*)
Điện áp gia tốc	200 eV – 30 keV (< 50 eV với tùy chọn BDT*)
Dòng dò (Probe current)	2 pA – 400 nA (điều chỉnh liên tục)
Chế độ chân không	High Vacuum; SingleVac™ (preset); MultiVac* (1–700 Pa)
Độ phóng đại	2× – 1 000 000×
Phần mềm	TESCAN Essence™ (giao diện đa người dùng, 3D Collision Model, Image Snapper, scripting)

*Tùy chọn. Thông số có thể thay đổi tùy cấu hình phần mềm và tùy chọn lắp đặt.

Câu hỏi thường gặp (FAQ)

MIRA tăng tốc quy trình phân tích như thế nào?
Tùy chọn Essence™ EDS tích hợp hoàn toàn cho phép vừa chụp ảnh vừa phân tích thành phần trong cùng cửa sổ, tự động lưu dữ liệu kèm vị trí bàn mẫu.

MIRA xử lý được mẫu tích điện/nhạy chùm không?
Có. SingleVac™ là tiêu chuẩn; MultiVac (1–700 Pa) với GSD cho phép chụp chân không thấp hiệu quả không cần phủ.

MIRA có mở rộng được không?
Có. Nền tảng mô-đun hỗ trợ đầu dò trong cột SE/BSE, CL, R-STEM, EBSD, WDS, Raman (RISE™), v.v.

Tổng quan về TESCAN MIRA

TESCAN MIRA mang đến lộ trình nhanh, ổn định và trực quan để thu dữ liệu hình thái và thành phần. Intermediate Lens™, In-Flight Beam Tracing™, Wide Field Optics™ và tùy chọn Essence™ EDS phối hợp nhằm tối ưu hiệu năng cho QA/QC, phân tích lỗi và R&D.