Tiếng Việt
Tescan SOLARIS X 2 - Kính hiển vi điện tử quét chùm ion hội tụ Plasma FIB-SEM

Tescan SOLARIS X 2 - Kính hiển vi điện tử quét chùm ion hội tụ Plasma FIB-SEM

SOLARIS X 2 là nền tảng Plasma FIB-SEM hiệu suất cao dành cho phân tích lỗi bán dẫn và chuẩn bị mẫu không chứa Ga⁺.

Hệ thống kết hợp chùm Plasma FIB Xe Mistral™ với hình ảnh UHR SEM, cho phép cắt ngang không tạo lỗi nhờ Rocking Stage và định vị chính xác bằng SEM có hướng dẫn. Giải pháp tối ưu cho phòng lab FA hiện đại, giúp định vị lỗi nhanh, chuẩn bị mẫu TEM và xử lý cấu trúc phức tạp, đóng gói tiên tiến. 

Tăng thông lượng chuẩn bị mẫu nâng cao

TESCAN SOLARIS X 2 mở rộng khả năng phân tích lỗi vật lý của FIB sang các ứng dụng trên diện tích lớn, giúp việc cắt ngang sâu các thiết bị đóng gói tiên tiến, màn hình, MEMS và thiết bị quang điện tử trở nên hiệu quả hơn.

Với cột Plasma FIB Xe Mistral™ thế hệ mới, SOLARIS X 2 cung cấp dòng chùm ion tối đa cao hơn và cấu hình chùm ion sắc nét hơn trên toàn dải, với các phần "đuôi chùm" (beam tails) giảm đáng kể. Điều này cho phép người vận hành sử dụng dòng điện phay và đánh bóng cao hơn, đạt được chất lượng bề mặt vượt trội tương đương với Plasma FIB thông thường, nhưng với tốc độ và độ chính xác cao hơn.

SOLARIS X 2: Mở rộng khả năng Plasma FIB-SEM cho các ứng dụng quy mô lớn và nhỏ

Là kính hiển vi Plasma FIB-SEM hàng đầu của TESCAN, SOLARIS X 2 được thiết kế để mang lại độ phân giải và cường độ tín hiệu tối ưu tại điểm trùng hợp của chùm FIB và SEM.

Các đặc tính chùm ion được cải thiện giúp giảm thiểu các lỗi FIB điển hình, giảm nhu cầu sử dụng các phương pháp đánh bóng dòng điện cao thay thế và cho phép chuẩn bị lamella TEM tự động cũng như cắt ngang hiệu quả các mẫu dưới 100 µm.

TESCAN SOLARIS X 2 Phù Hợp với Nhu Cầu của Bạn như thế nào

  • Hiệu suất theo mục đích: Tăng tốc phân tích lỗi vật lý với khả năng loại bỏ vật liệu nhanh chóng của chùm Plasma FIB Xe.

  • Tiếp cận mẫu sâu: Tiếp cận các cấu trúc nằm sâu bên trong tới 1 mm bằng cách sử dụng dòng chùm ion lên tới 3,3 μA.

  • Độ chính xác ở cấp độ nano: Đạt được điểm kết thúc chính xác với độ chính xác nanomet trong quá trình phay hoặc cắt ngang, nhờ vào khả năng chụp ảnh độ phân giải cao của cột SEM Triglav™.

  • Độ nhạy bề mặt vượt trội: Thực hiện chụp ảnh độ phân giải cực cao trên các vật liệu nhạy với chùm tia bằng cột SEM Triglav™, được thiết kế để có độ nhạy bề mặt và độ tương phản tuyệt vời.

  • Bảo toàn mẫu nguyên vẹn: Chuẩn bị các mẫu TEM chất lượng cao, không gây hư hại bằng cách sử dụng các ion Xe trơ của chùm Plasma FIB, tránh cấy ion Ga⁺ hoặc làm hỏng bề mặt.

  • Mặt cắt ngang không có lỗi: Tạo ra các mặt cắt ngang sạch, không có lỗi, ngay cả trên các vật liệu khó, bằng cách sử dụng Rocking Stage đã được cấp bằng sáng chế của chúng tôi để thay đổi góc phay và TRUE X-sectioning để sử dụng chùm ion tối ưu ở dòng điện cao.

Phân tích các lỗi phức tạp trong các thiết bị và gói IC thế hệ mới

TESCAN SOLARIS X 2 vượt trội trong việc phân tích lỗi vật lý của các gói IC xếp chồng tiên tiến (2.5D, 3D IC), chip lật (flip-chips), thiết bị MEMS, màn hình OLED và TFT, tụ điện MLCC, 3D NAND, và nhiều loại khác.

Khám phá các chi tiết bên dưới bề mặt: Lamella TEM không Ga⁺ chính xác để phân tích STEM

Tạo ra các lamella TEM chất lượng cao, không chứa Ga⁺, có độ dày dưới 100 nm từ các mẫu ở cấp độ gói và IC, lý tưởng để phân tích STEM sau đó.

Làm sáng tỏ bí mật vật liệu với Phân tích vi mô 3D EDS & EBSD chuyên sâu

Tận dụng tính năng phân tích vi mô 3D EDS và EBSD nhanh, trên thể tích lớn cho các thiết bị đóng gói tiên tiến như bi hàn (solder balls), lỗ thông silicon xuyên suốt (TSVs) và tấm đệm kết nối (bond pads), giúp phân tích thành phần vật liệu và đặc tính một cách toàn diện.

 Lợi ích chính của TESCAN SOLARIS X 2

  • Phân tích lỗi cục bộ: Thực hiện phân tích lỗi vật lý ở quy mô dưới milimet, có độ cục bộ cao với cột Plasma FIB Xe Mistral™, cung cấp dòng chùm ion tối đa lên tới 3,3 µA để loại bỏ vật liệu nhanh chóng.

  • Mặt cắt ngang không có lỗi: Tạo ra các mặt cắt ngang sạch, không có lỗi "màn che" (curtaining) và bậc thang (terrace), ngay cả trên các vật liệu khó như polyimide, SiC, gốm sứ và thủy tinh, với công nghệ Rocking Stage và TRUE X-sectioning tích hợp của chúng tôi để tối ưu hóa các góc phay và triệt tiêu các phần "đuôi chùm" (beam tails).

  • Lamella TEM không Ga⁺ chất lượng cao: Chuẩn bị các lamella TEM không chứa Ga⁺ từ các mẫu bán dẫn với chất lượng và hiệu quả được cải thiện bằng cách sử dụng cấu hình chùm ion nâng cao của Mistral, cho phép sử dụng dòng chùm ion cao hơn mà không ảnh hưởng đến các lớp bảo vệ mẫu.

  • Xác định điểm kết thúc chính xác: Đạt được việc nhắm mục tiêu chính xác các vùng hoặc khuyết tật cụ thể (vết nứt, lỗ rỗng, tách lớp) trong quá trình phay hoặc cắt ngang với hình ảnh SEM Triglav™ độ phân giải cao tại điểm trùng hợp của FIB-SEM.

  • Tối đa hóa thông lượng và sự sẵn sàng: Đảm bảo kết quả nhất quán và giảm thời gian thiết lập với các tính năng tự động căn chỉnh hoàn toàn của cột điện tử và cột Xe Plasma FIB.

  • Năng suất lấy người dùng làm trung tâm: Tăng năng suất cho tất cả người dùng với các quy trình làm việc nâng cao và hướng dẫn trợ giúp (guided wizards) của TESCAN trong giao diện người dùng đồ họa Essence™.